DMT35M4LPSW-13 सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी_चोंगमिंग ग्रुप(एचके)_फ्लैश मेमोरी आईसी चिप_प्रोग्रामेबल आईसी चिप_कंप्यूटर आईसी चिप_एलईडी ड्राइवर आईसी_पावर प्रबंधन आईसी_एकीकृत सर्किट चिप

भाग संख्या：	DMT35M4LPSW-13
उत्पाद वर्गीकरण：	सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी
निर्माता：	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
या क़िस्‍म：	MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
संपुटीकरण：
लपेटना：	टेप और रील (टीआर)
बड़ तादाद：	1200
RoHS स्थिति：	YES
पत्ती

भाग संख्या：

DMT35M4LPSW-13

उत्पाद वर्गीकरण：

सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी

निर्माता：

Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)

या क़िस्‍म：

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506

संपुटीकरण：

लपेटना：

टेप और रील (टीआर)

बड़ तादाद：

1200

RoHS स्थिति：

YES

पत्ती

उत्पाद पैरामीटर

उत्पाद वर्णन:

PDF(1)

प्रकार	विवरण
एमएफआर	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
शृंखला	-
पैकेट	टेप और रील (टीआर)
उत्पाद की स्थिति	ACTIVE
पैकेज/केस	8-PowerTDFN
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount, Wettable Flank
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
तकनीकी	MOSFET (Metal Oxide)
एफईटी प्रकार	N-Channel
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	18.9A (Ta), 71.1A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस	5.5mOhm @ 20A, 10V
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)	1.5W (Ta)
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी	2.5V @ 250µA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PowerDI5060-8 (Type UX)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)	4.5V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)	30 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	16 nC @ 10 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	1029 pF @ 15 V