ALD110900APAL FET, MOSFET सारणियाँ_चोंगमिंग ग्रुप(एचके)_फ्लैश मेमोरी आईसी चिप_प्रोग्रामेबल आईसी चिप_कंप्यूटर आईसी चिप_एलईडी ड्राइवर आईसी_पावर प्रबंधन आईसी_एकीकृत सर्किट चिप

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100

$6.0900

$609.0000

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$5.3760

$2,688.0000

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2000

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उत्पाद पैरामीटर

उत्पाद वर्णन:

PDF(1)

प्रकार	विवरण
एमएफआर	Advanced Linear Devices, Inc.
शृंखला	EPAD®, Zero Threshold™
पैकेट	नली
उत्पाद की स्थिति	ACTIVE
पैकेज/केस	8-DIP (0.300", 7.62mm)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
विन्यास	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
परिचालन तापमान	0°C ~ 70°C (TJ)
तकनीकी	MOSFET (Metal Oxide)
शक्ति - अधिकतम	500mW
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)	10.6V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	2.5pF @ 5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस	500Ohm @ 4V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी	10mV @ 1µA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-PDIP