ALD212900SAL FET, MOSFET सारणियाँ_चोंगमिंग ग्रुप(एचके)_फ्लैश मेमोरी आईसी चिप_प्रोग्रामेबल आईसी चिप_कंप्यूटर आईसी चिप_एलईडी ड्राइवर आईसी_पावर प्रबंधन आईसी_एकीकृत सर्किट चिप

भाग संख्या：

ALD212900SAL

उत्पाद वर्गीकरण：

FET, MOSFET सारणियाँ

निर्माता：

Advanced Linear Devices, Inc.

या क़िस्‍म：

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

संपुटीकरण：

लपेटना：

नली

बड़ तादाद：

1200

RoHS स्थिति：

YES

पत्ती

प्रकार	विवरण
एमएफआर	Advanced Linear Devices, Inc.
शृंखला	EPAD®, Zero Threshold™
पैकेट	नली
उत्पाद की स्थिति	ACTIVE
पैकेज/केस	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
विन्यास	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
परिचालन तापमान	0°C ~ 70°C (TJ)
तकनीकी	MOSFET (Metal Oxide)
शक्ति - अधिकतम	500mW
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)	10.6V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	80mA
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	30pF @ 5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस	14Ohm
एफईटी सुविधा	Logic Level Gate
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी	20mV @ 20µA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-SOIC

प्रकार

विवरण

एमएफआर

Advanced Linear Devices, Inc.

शृंखला

EPAD®, Zero Threshold™

पैकेट

नली

उत्पाद की स्थिति

ACTIVE

पैकेज/केस

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)