SIRS700DP-T1-RE3 सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी_चोंगमिंग ग्रुप(एचके)_फ्लैश मेमोरी आईसी चिप_प्रोग्रामेबल आईसी चिप_कंप्यूटर आईसी चिप_एलईडी ड्राइवर आईसी_पावर प्रबंधन आईसी_एकीकृत सर्किट चिप

भाग संख्या：

SIRS700DP-T1-RE3

उत्पाद वर्गीकरण：

सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी

निर्माता：

Vishay / Siliconix

या क़िस्‍म：

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

संपुटीकरण：

लपेटना：

टेप और रील (टीआर)

बड़ तादाद：

1200

RoHS स्थिति：

पत्ती

प्रकार	विवरण
एमएफआर	Vishay / Siliconix
शृंखला	TrenchFET® Gen IV
पैकेट	टेप और रील (टीआर)
उत्पाद की स्थिति	DISCONTINUED
पैकेज/केस	PowerPAK® SO-8
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
तकनीकी	MOSFET (Metal Oxide)
एफईटी प्रकार	N-Channel
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	30A (Ta), 127A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस	3.5mOhm @ 20A, 10V
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)	7.4W (Ta),132W (Tc)
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी	4V @ 250µA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PowerPAK® SO-8
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)	7.5V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)	100 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	130 nC @ 10 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	5950 pF @ 50 V

प्रकार

विवरण

एमएफआर

Vishay / Siliconix

शृंखला

TrenchFET® Gen IV

पैकेट

टेप और रील (टीआर)

उत्पाद की स्थिति

DISCONTINUED

पैकेज/केस

PowerPAK® SO-8