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WNSC5D086506Q

भाग संख्या WNSC5D086506Q
उत्पाद वर्गीकरण एकल डायोड
निर्माता WeEn Semiconductors Co., Ltd
या क़िस्‍म DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
संपुटीकरण
लपेटना नली
बड़ तादाद 1200
RoHS स्थिति NO
पत्ती
उत्पाद पैरामीटर
उत्पाद वर्णन:
प्रकारविवरण
एमएफआरWeEn Semiconductors Co., Ltd
शृंखला-
पैकेटनली
उत्पाद की स्थितिACTIVE
पैकेज/केसTO-220-2
माउन्टिंग का प्रकारThrough Hole
रफ़्तारNo Recovery Time > 500mA (Io)
रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)0 ns
तकनीकीSiC (Silicon Carbide) Schottky
कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ267pF @ 1V, 1MHz
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)8A
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजTO-220AC
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन-55°C ~ 175°C
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)650 V
वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि1.7 V @ 8 A
करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर40 µA @ 650 V

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
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